Samsung Electronics сообщила о начале массового производства чипов памяти DDR2 емкостью 1 Гбит с использованием 80 нм техпроцесса
Хотя 1 Гбит DDR2 память уже некоторое время доступна, до сих пор она производилась по 90 нм технологии, более дорогостоящей и не столь эффективной. Переход на более «тонкие» нормы позволил Samsung создать самый маленький в мире среди аналогов чип, размером всего 11 х 11,5 мм. Это на 36% меньше, чем 11 х 18 мм, соответствующих габаритам 1 Гбит микросхемы памяти, произведенной по 90 нм техпроцессу, и практически совпадает с размерами 512 Мбит чипа, вполовину меньшего «старых» 1 Гбит чипов.
До сих пор при изготовлении модулей памяти высокой емкости конструкторам приходилось прибегать к таким решениям, как стекирование чипов памяти один поверх другого, или объединение их в едином корпусе. Такие ухищрения применялись, например, в 4 Гб модулях, для реализации которых требуется разместить на плате 36 чипов DRAM. С появлением микросхем памяти меньшего размера при сохранении высокой емкости появляется возможность упростить компоновку модулей, что приведет не только к удешевлению стоимости производства, но также и к улучшению электрических характеристик устройства.
Согласно прогнозам Gartner, в этом году объем мирового рынка DRAM в этом году достигнет 28,7 млрд. долл., а к 2008 году возрастет до 37,8 млрд. долл. Доля 1 Гбит чипов памяти составляет пока что 8% рынка, но ожидается значительное увеличение их доли, до 36% в 2008 г.
